高耐圧600V以上のパワー MOSFET！低オン抵抗・超低ゲート電荷量を特長とするMEMS技術のデバイスです。
『スーパージャンクションMOSFET』は、高耐圧のスーパージャンクション技術が使われている当社のパワーMOSFETです。
シリコンのMOSFETとMEMSプロセス技術の融合で、世界的ベストインクラスのパフォーマンスをお届けします。
MEMS技術で独自の製造技術を発展させ、より小寸法へ展開することで、高パフォーマンスでコストメリットのあるMOSFETをご提供いたします。

■スーパージャンクションMOSFET(>600V,>650V

特長:
■ 低オン抵抗
■ 超低ゲート電荷量
■ 耐高dv/dt特性
■ 高耐アバランシェ特性
■ 耐高ピーク電流特性
■ 増相互コンダクタンス特性

アプリケーション:
■ 産業用電源、充電器
■ データセンター、サーバー、クラウド、PC、Tablet
■ 屋内外の電灯 : HID 、LED電灯
■ LED TV Driver ,動力電源
■ 太陽光発電
■ HV,EV　充電器