アイスモス・テクノロジーは、高いパフォーマンスを発揮するスーパージャンクションＭＯＳＦＥＴおよびＭＥＭＳ技術プロセス、高度な技術基盤ウエハやＳＯＩ（シリコンオンインシュレーター）、貼り付けシリコン基板を高い費用対効果で提供している。

独自のＭＥＭＳ技術を発展させ小型・軽量・高性能化を実現

スーパージャンクションＭＯＳＦＥＴは、独自のＭＥＭＳ構造の高耐圧（６００Ｖ以上）のパワー半導体で、特性オン抵抗と耐圧のトレードオフが画期的に改善される。また素子の微細化が容易になり微細化することによって、スーパージャンクションＭＯＳＦＥＴのオン抵抗を大幅に下げることが可能。そのため、電⼒ロスの削減で省エネにつながり温室効果ガス削減に寄与できる。

さらに、同社の手がけるＣＳＯＩウエハはセンサー用基板として様々な分野での重要度が増してきている。薄膜を持つキャビティーや分離するためのトレンチ構造など、デザインに合わせたカスタム品を提供している。